砷化铟 InAs 合金粉末

1、产品信息

• InAs 是一种直接带隙半导体材料,在常温下为固体结晶。

• 它具有较高的熔点(942°C)和沸点(3,444°C),热稳定性良好。

• InAs 为共价键化合物,在常温下不溶于水,具有一定的化学稳定性。

• 此外,InAs 还表现出优异的电子和光学特性,是制造红外光电子器件的理想材料。

2、产品规格

1、样品测试包装客户指定（＜1kg/袋装）

2、样品产品包装（1kg/袋装）

3、常规产品包装（1kg/2kg/5kg/10kg）

备注：内：充惰性气体 外：铝箔袋真空。可根据客户要求指定包装。

3、产品概述

产品通过“选用净化原料+生产纯化工艺+品控智能控制”制备生成，产品具有技术含量高、晶相纯、磁性异物少、含水量低、化学性能稳定的特点。

4、产品用途

主要用作III-V族化合物半导体器件(如高电子迁移率晶体管、激光器、光探测器)的活性层材料。

还可用于制造近红外发光二极管、太阳能电池、光纤通信等光电功能器件。

此外,InAs 还是制备其他III-V族化合物的前驱体,在光电子和微电子领域有广泛应用前景。