衬底粗磨减薄砂轮

面议
产品摘要
衬底粗磨减薄砂轮由江苏优普纳科技有限公司提供。
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产品参数
型号
MGS8
产品详情

第三代半导体晶圆减薄砂轮采用了专研高性能陶瓷结合剂及业内先进的“Dmix+” 制程工艺。产品主要应用于碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等第三代半导体材料衬底片和晶圆片的磨削减薄。产品性能稳定,同时注重加工效率与质量的平衡,所加工的晶片衬底及晶圆表面质量好、产品性价比高,适配国内、外主流减薄设备。可根据不同加工材料特性、尺寸以及使用的设备等条件,适配相应的砂轮及磨削工艺,满足不同半导体材料以及加工磨床多元化发展的需要。

产品介绍:

MGS8碳化硅晶圆衬底研削磨轮

提高生产效率和研削质量,降低耗材使用成本

砂轮配方晶片编号减薄方式压力(电流)砂轮磨耗
86H2T02706245P16双面粗减C:14.3C:-0.0097
SI:15.5

SI:0.0022

T18611243J15双面粗+细C:14.3C:0.0040
SI:15.5SI:0.0073


UPNTECH-86H2粗磨减薄砂轮

稳定电流

稳定电流

磨耗比(wheel/sic)

15%

砂轮寿命

700件

产品特点:

基体优化设计减少整体振动,增强冷却液流动,可根据客户不同设备需求定制不同规格砂轮。

采用独特的高强度微晶增韧陶瓷结合剂配方及多孔显微组织调控技术实现高研削性能。

超细的金刚石磨粒,超高自锐性,高磨削效率,可获得低损伤和低表面粗糙度的晶圆。

核心技术1高强度微晶增韧陶瓷结合剂

核心技术2 多孔砂轮显傥组织调控技术