Graphenea石墨烯场效应晶体管芯片S20

产品名称

中文名称: Graphenea石墨烯场效应晶体管芯片S20

英文名称：Graphene Field-Effect Transistor chipS20

性质

芯片尺寸：10mm x10mm

芯片厚度 ：675μm

每个芯片的GFET数量：12

栅氧化层厚度：90nm

栅极氧化物材料：SiO2

基体电阻率 ：1-10 Ω.cm

封装形式：50 nm Al2O3 + 100 nm Si3N4

Dirac点（背栅）：＜50 V

良率  ：＞75%

石墨烯场效应迁移率：＞1000cm²/V.s

应用

石墨烯器件研究，化学传感器，生物传感器，生物电子学，磁传感器，光电探测器。

其他信息

常温干燥避光密封保存。*长保存期限一年。