CVD氧化硅/硅基底单层二硒化钨
面议
产品摘要
CVD氧化硅/硅基底单层二硒化钨由江苏先丰纳米材料科技有限公司提供。
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产品参数
型号
101041
范围
9 mmx9 mm
产品详情
| 货号 | CAS号 | 编号 | 包装 | 参数 |
| 101041 | 7440-33-7 | XF172 | 1 盒 | 基底尺寸: 9 mmx9 mm |
产品名称
中文名称: CVD氧化硅/硅基底单层二硒化钨
英文名称：Single Layer WSe2 on SiO2/Si
性质
形态：薄膜
参数
基底尺寸：9 mmx9 mm
WSe2片径范围：20-50 μm
氧化层：300nm
厚度：0.6-0.8 nm
应用
先丰纳米**推出CVD法制备的单层二硒化钨，该产品具有缺陷少，层数可控，优异的光学性质，是研究层数和荧光效应和制备器件的优异材料，欢迎咨询。
