动态二次离子质谱仪

PHI ADEPT 1010

简介

动态二次离子质谱仪（D-SIMS）是使用一次离子束（通常是Cs源）轰击样品表面，而产生二次离子，然后用质谱分析仪分析二次离子的质荷比（m/q），从而得知元素在样品中的深度分布，是分析半导体掺杂和离子注入的强有力的工具。

优势

ULVAC-PHI **设计的四极杆-二次离子质谱仪ADPT1010，在原有的PHI6300和PHI6600的基础上，改善了离子光学系统，是在一次离子能量低至250eV时，仍保持有效的溅射束流的动态二次离子质谱系统（D-SIMS）。

特点

1. 大束流低能量离子枪设计，极大的提高了深度分辨率

2. 高性能离子光学系统，改善了二次离子传输效率，在提高分析效率的同时又提高了检测灵敏度

3. 高精度全自动5轴样品操控台

4. 不同方向进入检测器的二次离子，均可被高灵敏地收集检测

应用实例分析

采用一次离子源Cs在加速5kV束流为100nA的条件下，分析GaAs中注入的H，C，O元素。可以看到H检测限值7.1X10¹⁶ atm/cm³，O检测限值4.4X10¹⁵ atm/cm³，C检测限值2.0X10¹⁵ atm/cm³。