碳化硅pvt培育的长晶

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产品摘要
碳化硅pvt培育的长晶由浙江东尼电子股份有限公司提供。
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产品参数
型号
碳化硅pvt培育的长晶
范围
W63-W0.5
产品详情

PVT法长晶

籽晶粘结成功率可以接近100%,平均生长速度0.13-0.16mm/h,晶体利用率更高,更加适合6~8寸晶体的生长,单位晶体成本更低。同时具有高可靠性,热场和工艺调节更便捷,更加适合规模化生产,这些优势在生长大尺寸晶体时尤其明显。