4、6英寸低阻高掺p型碳化硅衬底

产品介绍

      利用液相法生长的P型碳化硅衬底具有低电阻、高掺杂浓度、高品质等优势，能满足n沟道SiC IGBT、GTO等高压双极型器件的制备需求

主要指标

晶型：4H/6H-P型

尺寸：99.5~100 mm     145.5-150.0mm         

厚度：350±25 μm  

微管密度：＜0.1 cm-2

电阻率：0.06~0.11 Ω∙cm

表面粗糙度：Ra<0.2nm