Hall8800霍尔效应测试仪器常温&液氮温度测试系统

1应用范围:研究半导体器件和半导体材料电学特性、精密测量半导体材料的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等重要参数2规格: 2-1 Maximum sample size (Small board) - 15mm x15mm **样品尺寸:15mm x15mm (可定制) 2-2 Measurement Temperature: 300K (room temperature)， optional 77K. 测试温度: 室温、可选配液氮低温77K 2-3 Measurement Material: Semiconductors material such as

Si， SiGe， SiC，GaAs， InGaAs， InP， GaN， ITO (N Type & P Type)

测试材质:半导体类材质、如：

Si， SiGe， SiC， ZnO， GaAs， InGaAs， InP， GaN， ITO等所有半导体薄膜(P型和N型) 2-4 Magnet Flux Density: 0.68 Tesla nominal ±1% of marked value 磁场强度: 0.68 Tesla ±1% 2-5 Magbnet Stability: ±2% over 1 years 稳定性: ±2% （一年后） 2-6 Uniformity: ± 1% over 20mm diameter from center 均匀度：± 1%(20mm直径圆范围内) 2-7 Pole Gap: 20 mm 磁极间隙：20毫米 2-8 Input voltage range: 1μV to 300V 输入电压范围：1μV ~300V 2-9 Hall voltage range: 10uV to 2000mV 霍尔电压范围: 10uV to 2000mV 2-10 Resistivity (Ohm.cm): 10^-5 to 10⁷ 电阻率 (Ω.㎝): 10^-5 to 10⁷ 2-11 Mobility (cm²/Volt.sec): 1 ~ 10⁷ 迁移率(cm²/Volt.sec): 1 ~ 10⁷ 2-12 Carrier Density (cm^-3): 10⁷ ~ 10²¹ 载流子浓度(1/cm³): 10⁷ ~ 10²¹