YTC6K-Ge锗单晶生长炉

面议
产品摘要
YTC6K-Ge锗单晶生长炉由浙江晶泰半导体有限公司提供。
当前价格信息以面议或企业沟通为准。
当前页面提供 2 组参数信息,可用于快速了解规格。
产品参数
型号
YTC6K-Ge锗单晶生长炉
范围
500
产品详情

厂务要求Utilities
电源电压(Source Voltage):380 V±10%
频率(Frequency):50/60 Hz
加热功率(Heating Power):165 KW底部加热50 kW
环境温度(Ambient Temperature):5~40
相对湿度(Relative Humidity):<70%
入口端**水温(Maximum Inlet Temperature):77°F (25 ℃)      
*小流量(Minimum Flow Rate):50 gpm (185 L/min) total
入口出口压力差(Diff. Supply Pressure):30 psi (2.1 kg/cm²
主氩气流量(Mass Flow Control(Max.)):200 slpm
吹扫流量(Purge Flow):100 slpm
合计(Facility Total):300 slpm
推荐压力Recommended Supply Pressure:75 psi(5.3 kg/cm²
压缩空气(Air)
推荐压力Recommended Supply Pressure:90 psi(6.3 kg/cm²)