砷化铟单晶片InAs

砷化铟InAs或铟单砷化物是由铟和砷组成的半导体。它具有灰色立方晶体的外观，熔点为942°C。砷化铟用于构建红外探测器，波长范围为1-3.8μm。探测器通常是光伏光电二极管。低温冷却探测器具有较低的噪声，但InAs探测器也可用于室温下的高功率应用。砷化铟也用于制造二极管激光器。砷化铟类似于砷化镓，是一种直接的带隙材料。砷化铟有时与磷化铟一起使用。与砷化镓合金形成铟镓砷 – 一种带隙取决于In / Ga比的材料，这种方法主要类似于将氮化铟与氮化镓合金化以产生氮化铟镓。砷化铟以其高电子迁移率和窄能带隙而众所周知。它被广泛用作太赫兹辐射源，因为它是一个强大的光 – 琥珀发射器。厦门中芯晶研可提供2”,3”,4”砷化铟单晶片。