ALE原子层刻蚀

我们的设备和工艺已通过充分验证，正常运转时间可达90%以上，一旦设备安装完毕，可立即投入使用。PlasmaPro 100系列市场应用广，包括但不限于： MEMS和传感器、光电子、分立元器件和纳米技术。它具有足够的灵活性，可用于研究和开发，通过打造质量满足生产需求。

PlasmaPro 100 ALE 的特点:

• 准确的刻蚀深度控制；

• 光滑的刻蚀表面

• 低损伤工艺

• 数字化/循环式刻蚀工艺——刻蚀相当于ALD

• 高选择比

• 能加工**200mm的晶圆

• 高深宽比（HAR）刻蚀工艺

• 非常适于刻蚀纳米级薄层

• III-V族材料刻蚀工艺

• 固体激光器InP刻蚀

• VCSEL GaAs/AlGaAs刻蚀

• 射频器件低损伤GaN刻蚀

• 硅Bosch和超低温刻蚀工艺

• 类金刚石（DLC）沉积

• 二氧化硅和石英刻蚀

• 用特殊配置的PlasmaPro FA设备进行失效分析的干法刻蚀解剖逆工艺，可处理封装好的芯片, 裸晶片，以及200mm晶圆

• 高质量PECVD沉积的氮化硅和二氧化硅，用于光子学、电介质层、钝化以及诸多其它用途

• 用于高亮度LED生产的硬掩模沉积和刻蚀