6英寸SiC导电型衬底晶锭
面议
产品摘要
6英寸SiC导电型衬底晶锭由合肥世纪金芯半导体有限公司提供。
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产品参数
型号
6英寸SiC导电型衬底晶锭
产品详情
6英寸SiC导电型衬底晶锭规格书 | ||
项目 | 性能 | 参数 |
晶体参数 |
表面晶向 Surface orientation |
4.0° toward [11-20]± 0.5° |
4H晶型面积 areas |
100% | |
边缘多晶 Edge polycrystal |
无 | |
机械参数 | 直径(mm) Diameter | 150±0.1 |
参考面方向 Primary flat orientation |
<11-20>±5.0° | |
参考面长度(mm) Primary flat length |
47.5±1.5 | |
电学参数 | 电阻率 (2 · cm) Resistivity | 0.01-0.03 |
掺杂剂 Dopant | N型掺氮 | |
缺陷参数 | 微管密度(个/cm2) Micropipe Density | ≤0.5 |
基平面位错BPD(个/cm2) | ≤7000 | |
表面质量 | 裂纹 Cracks | 无 |
