腔体合成炉

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产品摘要
腔体合成炉由沈阳中科汉达科技有限公司提供。
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产品参数
型号
腔体合成炉
产品详情

适用于碳化硅原料合成也可用于碳化硅晶体生长,采用中频感应电源加热方式,上取放料、坩埚轴快慢速移动。

技术参数

生长工艺

PVT

生长尺寸

6-8英寸

产品类型

非标定制

加热方式

感应加热(中频感应加热)

**温度

2400℃

系统停泵关机12小时后真空度

≤5Pa

控制方式

PLC集成控制

系统极限真空度

≤7×10-5 Pa (经烘烤除气后)

系统真空检漏漏率

≤5.0×10-7 Pa.l/S

冷却方式

循环水路系统

适用于碳化硅原料合成也可用于碳化硅晶体生长,采用中频感应电源加热方式,上取放料、坩埚轴快慢速移动。内壁氩弧焊接,内表面镜面抛光,反射热量,减少功率损耗,减少气体附着。自主研发控制系统,实现自动化稳定、安全、操作便捷。适用于碳化硅原料合成也可用于碳化硅晶体生长,采用中频感应电源加热方式,上取放料、坩埚轴快慢速移动。内壁氩弧焊接,内表面镜面抛光,反射热量,减少功率损耗,减少气体附着。自主研发控制系统,实现自动化稳定、安全、操作便捷。